Использование IGBT транзисторов для управления процессами микродугового оксидирования

Клименко Б.М., Печейкина М.А., Митряева О.Е.

Ключевые слова: IGBT транзисторы, микродуговое оксидирование, управление технологическими процессами, вентильные металлы.

Аннотация. В работе рассмотрены вопросы об использовании транзисторов с изолированным затвором (IGBT) для управления технологическими процессами нанесения износостойких покрытий на вентильные металлы методом микродугового оксидирования. Кратко дается обзор о работах в этой области. Для автоматизации системы управления регулируется момент включения силовых ключевых элементов. Длительность до момента включения отсчитывается от синхроимпульсов сети, формируемых в моменты переходов синусоиды через нуль. В качестве силовых ключей используются элементы силовой электроники – IGBT транзисторы, что позволяет воспроизводить необходимую длительность анодных и катодных импульсов.

The possibility of morphological approach applying by value engineering

Klimenko B.M., Pecheykina M.A., Mitryaeva O.E.

Keywords: IGBT transistors, microarc oxidization, process control, valve metals.

Abstract. The paper deals with the use of insulated gate transistors (IGBT) for controlling technological processes of wear-resistant coatings on valve metals by micro-arc oxidation. An overview of the works in this field is briefly given. To automate the control system, the switch-on torque of the power key elements is regulated. The duration up to the moment of switching on is counted from the network synchropulses formed at the moments of sinusoidal transitions through zero. As power keys are used elements of power electronics – IGBT transistors, which allows reproducing the required duration of anode and cathode pulses.